Laben er dedikert til tynnfilmprosessering og har utstyr til å deponere høykvalitets tynnfilmer med tykkelser fra 1nm til 10 µm på 6'' substrater og på inntil 10 cm lange rør. Metaller (Al, Ni, Ti, Pd etc.), halvmetaller (Si, Ge, etc.), metalloksider (TiO2, SiO2, YSZ) og nitrider (TiN) er typiske materialgrupper som prosesseres i laben. Tilgjengelige deponeringsteknikker inkluderer blant annet sputtering, elektronstrålepådamping (EBPVD), elektroplettering og spin-coating.
I 2017 tok vi i bruk et unikt høyvakuum clusteranlegg (Polyteknik Flextura 800) med to sputterkamre og et EBPVD kammer. Man kan her belegge prøver med flere lag uten å bryte vakuum, deponere fra opptil 3 targets samtidig, deponere reaktivt med N2 og O2 i kammeret, samt deponere på substrater med høy temperatur (opp til 1000°C). Prøvene lastes inn i et loadlock kammer, og kan flyttes mellom kamrene for å deponere ulike materialer. To av kamrene har in situ tykkelsesmonitor, og vi kan plasmaetse substrater i forkant av deponering. EBPVD kammeret er dedikert til deponering av silisium (opp til 150 µm tykke lag). Veksten av silisium kan studeres in situ ved hjelp av RHEED (Reflection high-energy electron diffraction).
Utstyr
- Renromslaboratorium ISO-klasse 7
- DC sputtering på inntil 6'' wafere
- E-beam (EBPVD) inntil 150 µm film-tykkelse, substrattemperatur inntil 1000°C (dedikert til silisum)
- DC, pulsed DC og RF sputtering på 2-6" Si-wafere, substrattemperatur inntil 800°C (mange forskjellige materialer kan deponeres, inkludert reaktiv depoering med N2 og O2)
- Flussyre (HF) avtrekk
- Elektroplettering og elektropolering
- Spray og spin-coater
- Hot plates opp til 400°C
- Rapid thermal processing (RTP) opp til 1200°C
- Multikammer PVD-basert kluster-system
- Karakteriseringspark; Elektronmikroskopi (SEM, TEM), White light interferometry (WLI), XRD, XPS, SIMS
Tekniske spesifikasjoner
Labene har separate arealer til påkledning (renrom klasse 6 og 7), tynnfilmprosessering